玻璃覆銅基板（Glass-Clad Copper Substrate，簡(jiǎn)��(chēng)GCC）是一種以特種玻璃為基��、表面覆銅的新型高性能電子基板材料。其��(jié)合了玻璃的優(yōu)異物理特性與銅的高導(dǎo)電��，廣泛應(yīng)用于高頻通信、半��(dǎo)體封��、先��(jìn)封裝（如FCBGA、FOWLP）、微電子��(jī)械系��(tǒng)（MEMS）等��(lǐng)��，是5G通信、人工智能芯片、車(chē)載雷��(dá)等高端電子設(shè)備的��(guān)鍵基��(chǔ)材料��

一、產(chǎn)品結(jié)��(gòu)與組��

1.1 基礎(chǔ)��(jié)��(gòu)

核心層：超薄玻璃基板（厚��50-300μm��，常用材料包括鈉鈣玻��、硼硅酸鹽玻璃或石英玻璃

金屬層：電解銅箔��?yàn)R射銅層（厚度5-35μm），表面粗糙度Ra��0.5μm

��(jié)合層：通過(guò)磁控濺射、化��(xué)氣相沉積（CVD）或等離子活化工藝形成的��(guò)渡層（如Cr/Cu或Ti/Cu��(fù)合層��

1.2 典型技��(shù)參數(shù)

二、核心特性與��(yōu)��(shì)

2.1 高頻性能��(yōu)��(shì)

低介電損耗：tanδ<0.002 @10GHz（傳��(tǒng)FR-4基板tanδ��0.02��

信號(hào)完整性：特征阻抗控制精度±3%，適��28GHz以上毫米波應(yīng)��

電磁屏蔽：銅層連續(xù)覆蓋��>99.9%，抑制電磁干擾（EMI��

2.2 熱機(jī)械特��

尺寸��(wěn)定性：熱膨脹系��(shù)（CTE）與硅芯片（2.6 ppm/℃）高度匹配

耐高溫性：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg��>500℃，支持回流焊（260℃）工藝

��(jī)械強(qiáng)度：楊氏模量70-90GPa，是FR-4基板��3-5��

2.3 工藝兼容��

微細(xì)線路加工：支持線��/線距��15μm的精��(xì)線路蝕刻

多層堆疊：可通過(guò)激光鉆孔實(shí)��(xiàn)微孔（孔徑≤50μm）互��

表面處理：兼容ENIG（化��(xué)鎳金��、OSP（有��(jī)保焊膜）等工��

三、主要應(yīng)用領(lǐng)��

3.1 高頻通信��(shè)��

5G基站：Massive MIMO天線陣列基板

毫米波雷��(dá)��77GHz��(chē)載雷��(dá)射頻前端

��(wèi)星通信：Ka波段��26.5-40GHz）相控陣模塊

3.2 先��(jìn)半導(dǎo)體封��

2.5D/3D封裝：硅中介層（Interposer）替代方��

Chiplet集成：異��(gòu)芯片互連的再布線層（RDL��

光電子封裝：激光器/探測(cè)器共封裝（CPO）基��

3.3 特種電子��(shè)��

高功率LED：低熱阻COB（Chip on Board）基��

航空航天電子：抗輻射星載��(jì)算機(jī)主板

��(yī)療影像設(shè)備：CT探測(cè)器陣列支撐基��

��、制造工藝流��

4.1 核心工藝步驟

玻璃基板��(yù)處理��

激光切割（皮秒激光精度��5μm��

化學(xué)��(qiáng)化（K+離子交換，表面壓��(yīng)��>700MPa��

等離子清洗（Ar/O?混合氣體，接觸角<5°��

金屬化處理：

磁控濺射沉積阻擋層（Ti/Cr，厚��50-100nm��

電鍍?cè)龊胥~層（酸性硫酸銅體系，沉積速率2-5μm/min��

圖形化蝕刻（干膜光刻+微蝕��，側(cè)壁角��85-90°��

后處理工藝：

黑氧化處理（CuO層厚��0.3-0.8μm��

表面鈍化（苯并三唑類(lèi)緩蝕劑涂覆）

激光打��(biāo)（二維碼追溯系統(tǒng)��

4.2 ��(zhì)量控制關(guān)鍵點(diǎn)

缺陷檢測(cè)：AOI（自��(dòng)光學(xué)檢測(cè)）系��(tǒng)��(shí)別≥5μm的銅層缺��

可靠性測(cè)試：

熱循��(huán)��(cè)試：-55℃~+125�� 1000次循��(huán)（IPC-9701��

高壓蒸煮試驗(yàn)��121��/100%RH/2atm 96小時(shí)（JEDEC JESD22-A102��

離子遷移��(cè)試：85��/85%RH/5V DC 1000小時(shí)（IPC-TM-650 2.6.14��