1.1真空鍍膜vacuumcoating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方����

1.2基片substrate：膜層承受體��

1.3試驗(yàn)基片testingsubstrate：在鍍膜��(kāi)��、鍍膜過(guò)程中或鍍膜結(jié)束后用作��(cè)量和(��)試驗(yàn)的基片��

1.4鍍膜材料coatingmaterial：用��(lái)制取膜層的原材料��

1.5蒸發(fā)材料evaporationmaterial：在真空蒸發(fā)中用��(lái)蒸發(fā)的鍍膜材����

1.6濺射材料sputteringmaterial：有真空濺射中用��(lái)濺射的鍍膜材����

1.7膜層材料(膜層材質(zhì))filmmaterial：組成膜層的材料��

1.8蒸發(fā)速率evaporationrate：在給定��(shí)間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來(lái)的材料量,除以該時(shí)間間��

1.9濺射速率sputteringrate：在給定��(shí)間間隔內(nèi),濺射出來(lái)的材料量,除以該時(shí)間間����

1.10沉積速率depositionrate：在給定��(shí)間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時(shí)間間隔和基片表面����

1.11鍍膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角��

2工藝

2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過(guò)����

2.1.1同時(shí)蒸發(fā)simultaneousevaporation：用��(shù)��(gè)蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時(shí)蒸鍍到基片上的真空蒸��(fā)��

2.1.2蒸發(fā)��(chǎng)蒸發(fā)evaporationfieldevaporation：由蒸發(fā)��(chǎng)同時(shí)蒸發(fā)的材料到基片上��(jìn)行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應(yīng)用于大面積蒸��(fā)以獲得到理想的膜厚分��)��

2.1.3反應(yīng)性真空蒸��(fā)reactivevacuumevaporation：通過(guò)與氣體反��(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)��

2.1.4蒸發(fā)器中的反��(yīng)性真空蒸��(fā)reactivevacuumevaporationinevaporator：與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng),而獲得理想化��(xué)成分膜層材料的真空蒸��(fā)��

2.1.5直接加熱的蒸��(fā)directheatingevaporation：蒸��(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是��(duì)蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩��)本身加熱的蒸��(fā)��

2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā)inducedheatingevaporation：蒸��(fā)材料通過(guò)感應(yīng)渦流加熱的蒸��(fā)��

2.1.7電子束蒸��(fā)electronbeamevaporation：通過(guò)電子轟擊使蒸��(fā)材料加熱的蒸��(fā)��

2.1.8激光束蒸發(fā)laserbeamevaporation：通過(guò)激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸��(fā)��

2.1.9間接加熱的蒸��(fā)indirectheatingevaporation：在加熱裝置(例如小舟形蒸��(fā)��,坩堝,燈絲,加熱��,加熱��,螺旋線圈��)中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所必須的熱量并通過(guò)熱傳��(dǎo)或熱輻射方式傳遞給蒸��(fā)材料的蒸��(fā)��

2.1.10閃蒸flashevaportion：將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時(shí)的蒸��(fā)��

2.2真空濺射vacuumsputtering：在真空��，惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原��(分子)或原子團(tuán)的過(guò)����

2.2.1反應(yīng)性真空濺射reactivevacuumsputtering：通過(guò)與氣體的反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空濺射��

2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射��(guò)程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射��

2.2.3直流二級(jí)濺射directcurrentdiodesputtering：通過(guò)二��(gè)電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射��

2.2.4非對(duì)稱性交流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過(guò)二��(gè)電極間的非對(duì)稱性交流電��，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極��

2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過(guò)二��(gè)電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得��(fù)電位的濺����

2.2.6熱陰極直流濺��(三極型濺��)hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽(yáng)極獲得非自持氣體放電，氣體放電所��(chǎn)生的離子，由在陽(yáng)極和陰極(��)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射��

2.2.7熱陰極高頻濺��(三極型濺��)hotcathodehighfrequencysputtering：借助于熱陰極和陽(yáng)極獲得非自持氣體放電，氣體放電產(chǎn)生的離子，在靶表面負(fù)電位的作用下加速而轟擊靶的濺����

2.2.8離子束濺射ionbeamsputtering：利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射��

2.2.9輝光放電清洗glowdischargecleaning：利用輝光放電原��，使基片以及膜層表面��(jīng)受氣體放電轟擊的清洗��(guò)����

2.3物理氣相沉積;PVDphysicalvapordeposition：在真空狀��(tài)��，鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)��?yàn)R射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法��

2.4化學(xué)氣相沉積;CVDchemicalvapordeposition：一定化��(xué)配比的反��(yīng)氣體，在特定激活條件下(通常是一定高的溫��)，通過(guò)氣相化學(xué)反應(yīng)生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方����

2.5磁控濺射magnetronsputtering：借助于靶表面上形成的正交電磁��(chǎng)，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)��，來(lái)增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得很高濺射速率��

2.6等離子體化學(xué)氣相沉積;PCVDplasmachemistryvapordeposition：通過(guò)放電��(chǎn)生的等離子體促��(jìn)氣相化學(xué)反應(yīng)，在低溫��，在基片上制取膜層的一種方����

2.7空心陰極離子鍍HCDhollowcathodedischargedeposition：利用空心陰極發(fā)射大量的電子��，使坩堝��(nèi)鍍膜材料蒸發(fā)并電離，在基片上的負(fù)偏壓作用��，離子具有較大能��，沉積在基片表面上的一種鍍膜方法��

2.8電弧離子鍍arcdischargedeposition：以鍍膜材料作為靶極，借助于觸��(fā)裝置，使靶表面產(chǎn)生弧光放��，鍍膜材料在電弧作用下，��(chǎn)生無(wú)熔池蒸發(fā)并沉積在基片上的一種真空鍍膜方����

3專用部件

3.1鍍膜室coatingchamber：真空鍍膜設(shè)備中��(shí)施實(shí)際鍍膜過(guò)程的部件

3.2蒸發(fā)器裝置evaporatordevice：真空鍍膜設(shè)備中包括蒸發(fā)器和全部為其工作所需要的裝置(例如電能供給、供料和冷卻裝置��)在內(nèi)的部����

3.3蒸發(fā)器evaporator：蒸��(fā)直接在其��(nèi)��(jìn)行蒸��(fā)的裝��,例如小舟形蒸��(fā)��,坩堝,燈絲,加熱��,加熱��,螺旋線圈等等,必要��(shí)還包括蒸��(fā)材料本身��

3.4直接加熱式蒸��(fā)器evaporatorbydirectheat：蒸��(fā)材料本身被加熱的蒸發(fā)器��

3.5間接加熱式蒸��(fā)器evaporatorbyindirectheat：蒸��(fā)材料通過(guò)熱傳��(dǎo)或熱輻射被加熱的蒸發(fā)����

3.6蒸發(fā)��(chǎng)evaporationfield：由��(shù)��(gè)排列的蒸��(fā)器加熱相同蒸��(fā)材料形成的場(chǎng)��

3.7濺射裝置sputteringdevice：包括靶和濺射所必要的輔助裝��(例如供電裝置,氣體��(dǎo)入裝置等)在內(nèi)的真空濺射設(shè)備的部件��

3.8靶target：用粒子轟擊的面。本��(biāo)��(zhǔn)中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所組成的電����

3.9擋板shutter：用��(lái)在時(shí)間上��(��)空間上限制鍍膜并借此能達(dá)到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活��(dòng)的��

3.10��(shí)��?fù)醢錿imingshutter：在��(shí)間上能用��(lái)限制鍍膜,因此從鍍膜的��(kāi)��、中斷到��(jié)束都能按��(guī)定時(shí)刻��(jìn)行的裝置��

3.11掩膜mask：用��(lái)遮蓋部分基片,在空間上能限制鍍膜的裝置��

3.12基片支架substrateholder：可直接夾持基片的裝��,例如夾持裝置,框架和類似的夾持器具��

3.13夾緊裝置clamp：在鍍膜��(shè)備中用或不用基片支架支承一��(gè)基片或幾��(gè)基片的裝��,例如夾盤(pán),夾鼓,球形夾罩,夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動(dòng)��(旋轉(zhuǎn)��,行星齒輪系等)��

3.14換向裝置reversingdevice：在真空鍍膜��(shè)備中,不打��(kāi)��(shè)備能將基��、試��(yàn)玻璃或掩膜放到理想位置上的裝��(基片換向��,試驗(yàn)玻璃換向��,掩膜換向��)��

3.15基片加熱裝置substrateheatingdevice：在真空鍍膜��(shè)備中,通過(guò)加熱能使一��(gè)基片或幾��(gè)基片��(dá)到理想溫度的裝置��

3.16基片冷卻裝置substratecoldingdevice：在真空鍍膜��(shè)備中,通過(guò)冷卻能使一��(gè)基片或幾��(gè)基片��(dá)到理想溫度的裝置��

4真空鍍膜��(shè)��

4.1真空鍍膜��(shè)備vacuumcoatingplant：在真空狀��(tài)下制取膜層的��(shè)����

4.1.1真空蒸發(fā)鍍膜��(shè)備vacuumevaporationcoatingplant：借助于蒸��(fā)��(jìn)行真空鍍膜的��(shè)備��

4.1.2真空濺射鍍膜��(shè)備vacuumsputteringcoatingplant：借助于真空濺射��(jìn)行真空鍍膜的��(shè)����

4.2連續(xù)鍍膜��(shè)備continuouscoatingplant：被鍍膜物件(單件或帶��)連續(xù)地從大氣壓經(jīng)��(guò)壓力梯段��(jìn)入到一��(gè)或數(shù)��(gè)鍍膜��，再��(jīng)��(guò)相應(yīng)的壓力梯段，繼續(xù)離開(kāi)��(shè)備的連續(xù)式鍍膜設(shè)����

4.3半連續(xù)鍍膜��(shè)備semi-continuouscoatingplant：被鍍物件通過(guò)閘門(mén)送��(jìn)鍍膜室并從鍍膜室取出的真空鍍膜設(shè)����