真空蒸鍍與真空濺鍍的區(qū)別與差異
真空蒸鍍與真空濺鍍作為光�(xué)濾光片經(jīng)常用到的兩種真空鍍膜方式，在其制作以及成品應(yīng)用上有很大的區(qū)別，下面我們將從這兩者的原理、工藝以及應(yīng)用上的差�，為大家說說這兩者的區(qū)��
（電子束蒸發(fā)鍍膜�
原理分析
真空蒸鍍通常采用電阻加熱、電子束加熱、感�(yīng)加熱等方式使鍍膜材料蒸發(fā)，鍍膜材料被加熱后蒸氣在基片上冷凝形成薄�，在此真空環(huán)境下，材料原子自由飛�，粒子的能量相對較低，碰撞概率低，經(jīng)過蒸鍍后的薄膜相對較為松�，致密性稍�，附著力也相對較�，在一些情況下可能需要�(jìn)行后�(xù)處理來增�(qiáng)附著�，尤其需要避免一些多元合金或化合物鍍膜材料在蒸發(fā)過程中可能會出現(xiàn)成分偏析的情況�
真空濺鍍，即真空濺射鍍膜，通過高能離子（如氬離子等）轟擊靶材，使靶材表面原子或分子濺射出來，并沉積在基底材料表面形成薄膜，由于是通過在真空室�(nèi)�(chǎn)生等離子�，且加速離子能量較�，撞擊靶材時(shí)濺射原子在沉積時(shí)具有更高的動�，形成的薄膜變得更致密且均勻性較好，分布均勻，附著力也較�(qiáng)�
（濺射鍍膜）
工藝特點(diǎn)不同
真空蒸鍍膜適用于大多�(shù)金屬、氧化物、硫化物等材料的鍍膜，但對于一些高熔點(diǎn)、難蒸發(fā)的材料可能不太適�。一般情況下，真空蒸鍍膜的鍍膜速率相對較快。蒸�(fā)過程中，材料可以快速氣化并沉積在基底上；整體而言，真空蒸鍍膜的工藝控制相對較簡單，主要控制參�(shù)包括蒸發(fā)溫度、真空度、沉積時(shí)間等�
真空濺射鍍可以用于各種材�，包括高熔點(diǎn)材料、陶�、合金等，適用范圍更�，真空濺射膜的鍍膜速率相對較慢，因?yàn)闉R射過程中粒子的能量較�，沉積效率相對較�，真空濺射膜的工藝控制相對復(fù)�，需要控制的參數(shù)較多，如濺射功率、氣壓、靶材與基底的距離等，離子體的產(chǎn)生和粒子的運(yùn)動軌�，靶材與基底的距離也會影響薄膜的�(zhì)量等，這些參數(shù)之間相互影響，需要精確調(diào)整才能獲得高�(zhì)量的薄膜�
注：濺射粒子在與基底相互作用�(shí)具有較高的動�，能夠產(chǎn)生較�(qiáng)的附著力，但濺射過程中產(chǎn)生的濺射粒子�(shù)量相對有�，且濺射粒子在運(yùn)動過程中會受到氣體分子的碰撞等影�，其到達(dá)基底的效率相對較低，為了保證濺射粒子能夠直線�(yùn)動到基底表面以獲得較好的薄膜�(zhì)�，通常需要在較低的氣壓下�(jìn)行濺射鍍膜，這也限制了單位時(shí)間內(nèi)到達(dá)基底的粒子數(shù)�，從而導(dǎo)致鍍膜速率相對較慢�
�(yīng)用領(lǐng)域不同原�
光學(xué)�(lǐng)�
真空蒸鍍膜在光學(xué)鍍膜方面�(yīng)用廣�，主要是�?yàn)槠溴兡に俾士臁⒊杀�?，能夠滿足大�(guī)模生�(chǎn)光學(xué)元件的需�。對于一些對薄膜�(zhì)量要求不是特別高的光�(xué)�(yīng)�，如普通的眼鏡鏡片增透膜等，真空蒸鍍膜是一種經(jīng)�(jì)有效的選��
真空濺射膜在高精度光�(xué)儀�、激光器件等�(lǐng)域應(yīng)用更�，是�?yàn)槠浔∧べ|(zhì)量更�，如致密性好、均勻性好、附著力�(qiáng)�，能夠滿足這些高端光學(xué)器件對光�(xué)性能和穩(wěn)定性的�(yán)格要求�
電子�(lǐng)�
真空濺射膜在電子�(lǐng)域廣泛應(yīng)�，是�?yàn)殡娮悠骷Ρ∧さ男阅芤蠓浅８?，需要良好的致密性、附著力和成分均勻�，以確保器件的穩(wěn)定性和可靠�。真空濺射膜能夠滿足這些要求，例如在半導(dǎo)體器件制造中，薄膜的�(zhì)量直接影響器件的性能和壽命�
真空蒸鍍膜在電子�(lǐng)域應(yīng)用相對較�，主要是�?yàn)槠浔∧ば阅茉谀承┓矫娌荒軡M足電子器件的�(yán)格要�，如附著力較弱可能導(dǎo)致薄膜在后續(xù)的加工或使用過程中容易脫��
裝飾�(lǐng)�
真空蒸鍍膜在裝飾�(lǐng)域應(yīng)用廣泛，是因?yàn)槠淇梢酝ㄟ^控制蒸發(fā)材料和工藝參�(shù)，獲得各種豐富的顏色和光�，而且成本相對較低，適合大�(guī)模生�(chǎn)裝飾性產(chǎn)��
真空濺射膜在裝飾�(lǐng)域應(yīng)用較少，是因?yàn)槠涑杀据^�、工藝復(fù)�，對于裝飾性要求為主的�(chǎn)品來�，性價(jià)比相對較��